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    以创新的方式管理科学基金——访中科院微电子所科技处处长夏洋

    日期 2007-04-16   来源:   作者:  【 】   【打印】   【关闭

      4月1日,《国家自然科学基金条例》正式生效,这意味着自然科学基金将走上更加规范的管理道路。在《条例》的管理下,依托单位将如何发挥作用,进行创新管理?近日,中科院微电子所科技处处长夏洋在接受《科学时报》采访时介绍了基金项目管理的经验。

      所长基金播撒希望种子

      能量恢复电路的实用化研究、微波大功率GaAs PIN二级管器件模型及关键工艺研究、InP HBT双自对准转移衬底方法研究、面向SOC的高性能纳米硅单电子器件研究、基于Top-down的分子存储器加工工艺研究、高速数据传输硅基光、微波互连系统混合集成基础技术的研究、高迁移率各向异性有机场效应管的设计和制备……中科院微电子研究所在2006年又成功获得了国家自然科学基金多个项目的支持。

      谈到经验,夏洋说:“做好充足的前期准备和调研工作是申请基金项目的前提条件,仅有好的想法是不行的,还必须进行实际研究。微电子所在中科院知识创新二期工程期间设立了具有种子基金效用的所长基金。该基金项目多为前瞻性、创新性研究项目,项目承担者以此为契机,申请包括自然科学基金项目、‘863’计划项目在内的其他研究课题。”

      2006年,该所又设立了1000多万元的所长基金,共资助30多个具有前瞻性的研究项目。

      夏洋说:“尽管现在国家自然科学基金项目的资助经费比原来翻了几番,但项目的申请数量增加更大,竞争更加激烈了;只有进行充分的准备才能得到资助,通过所长基金的支持,使所内研究人员的想法得到充分的调研和落实,这样增加了申请的成功率,一旦成功申请了基金项目,研究目标也会更加明确。”

      以老带新培养青年

      《条例》第二章第七条明文规定:国家自然科学基金应当设立专项资金,用于培养青年科学技术人才。以此,明确了对青年科学家的资助和支持。

      夏洋对自然科学基金近年来以设立青年科学基金项目、国家杰出青年科学基金项目、海外青年学者合作研究基金项目、香港澳门青年学者合作研究基金项目来加大对青年科研人员的资助印象尤为深刻。

      据介绍,近年来,中科院微电子所申报基金项目以年轻人居多,35岁以下的申请人占80%以上,由年轻人主持的项目也占到了80%以上。

      夏洋说:“国家自然科学基金自设立以来,以不同形式资助大批青年科研人员,促进了各科研机构年轻科学家的成长,为科研单位培养了人才。我们所在申请基金项目的时候,主要采取以老带新的形式,让有丰富经验的科学家在基金项目申报上给年轻的科研人员以指导。”

      曾以承担亚30纳米CMOS器件若干关键工艺技术研究,获得2005年度国家技术发明二等奖的徐秋霞研究员也是一位在基金项目申请上有丰富经验的科学家。2001年,徐秋霞承担的亚50纳米凹槽自对准双栅MOS器件研究获得了国家自然科学基金的支持;2002年、2005年她又分别承担了国家自然科学基金项目——纳米级自对准双栅COMS器件的结构和工艺研究和基于亚50纳米金属栅体硅多栅CMOS器件及关键技术研究。

      夏洋说:“微电子所有一批像徐老师这样有项目承担经验的科研人员,国家自然科学基金的连续支持不仅推动了他们的研究,而且使他们在把握申报选题等方面积累了丰富的经验,因此,指导年轻人进行项目申请也成了他们工作的一部分。”

      创新管理带来创新成果

      对于组织项目的申报工作,中科院微电子所也有自己的特点。据介绍,每年基金项目申报指南发布以后,科技处都会将适合该所科研人员申报的项目加以重点标注,以在所内部网站公开和给科研人员传发纸质材料的形式提醒科研人员进行申报。

      “每年我们都是以引导的方式让科研人员申请自然科学基金项目。这种宽松的方式会给予科研人员充分的空间,根据他们的兴趣爱好去选择研究方向。这样才能出真正的研究成果,从历史上来看,我们所的基金项目在结题时,被评审专家评价为‘优’的比例占到了80%以上。”夏洋说。

      1999年,夏洋承担的超大规模集成电路(ULSI)中铜互连线的研究获得了国家自然科学基金重点项目的支持。在超大规模集成电路制造中,铜具有比铝更低的电阻率、更优异的抗电迁移性能,使用铜作为互连线材料不但可以减少RC延迟,而且还能提高集成电路的可靠性。

      “ULSI中铜互连线的研究项目因为中期被评审专家评为‘优’,而被追加了20万元的资助。在自然科学基金项目的支持下,我们获得的不仅仅是资金,更重要的是取得了一大批成果。”夏洋说。

      据介绍,亚30纳米CMOS器件及其技术是国际上正在开展的前沿性探索研究,是知识创新和产权竞争的焦点。中科院微电子研究所的研究人员围绕高性能亚30纳米CMOS器件和关键工艺技术研究已申报19项发明专利,均被受理,其中6项发明专利已获授权;而自然科学基金的多项资助对该项研究也起到了不可或缺的作用。



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