当前位置:首页 >> 出版物 >> 简报

 
    首页 * 出版物 * 简报

    半导体氧化物纳米带结构首次被发现

    日期 2001-03-16   来源:   作者:  【 】   【打印】   【关闭

    本文提要:半导体氧化物纳米带状结构首次在世界上被发现并合成,这是继1991年发现多壁碳纳米管和1993年合成单壁碳纳米管以来一维纳米材料合成领域的又一重大突破。该现象是美国亚特兰大佐治亚理工学院的三位中国科学家发现的,其学术带头人王中林教授曾在1997年获得我国国家自然科学基金首批海外青年合作研究基金的资助。该工作于今年3月9日发表在美国著名的《科学》杂志上,引起了国际纳米科技界的极大关注,被评为美国本周的重大科技新闻。   半导体氧化物纳米带状结构首次在世界上被发现并合成,这是继1991年发现多壁碳纳米管和1993年合成单壁碳纳米管以来一维纳米材料合成领域的又一重大突破。该现象是美国亚特兰大佐治亚理工学院的三位中国科学家发现的,其学术带头人王中林教授曾在1997年获得我国国家自然科学基金委员会首批海外青年合作研究基金的资助。该工作于今年3月9日发表在美国著名的《Science 》杂志上,引起了国际纳米科技界的极大关注,被评为美国本周的重大科技新闻。美国 的《Science News(科技新闻)》,《USA Today(今日美国)》,《Nanotech Alert(纳米技术快讯)》,《Chemical and Engineering News(化学与化工新闻)》,以及《Why Files(十万个为 什么)》等抢先报道了这一重大发现。哈佛大学查尔斯.李玻尔教授评价说“该文章报道了崭新而独特的研究结果,其重大意义在于它发现了一种新的具有独特形貌而无缺陷的半导体氧化物体系。这在纳米物理研究和纳米器件应用中是非常重要的。”审稿人评价说“该文章报道了振奋人心的纳米材料。我从来没在科学文献中看到这种独特结构。”   半导体氧化物是功能和智能材料的基础,它们是制造功能元件的必须材料。半导体氧化物在透明导体、平板显示、气相液相传感和敏感器及智能玻璃等领域有重要的应用前景。它们每年的商业销售量高达200亿美元。美国亚特兰大佐治亚理工学院纳米科学和技术中心主任王中林教授、潘正伟博士和戴祖荣博士利用高温固体气相法,成功地合成了近一维氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镉和氧化镓等宽带半导体体系的带状结构。这些带状结构纯度高、产量大、结构完美、表面干净,且体内无缺陷、无位错,是理想的单晶线型薄片结构。带状结构的横截面是一窄矩型结构,带宽为30-300纳米,厚度为5-10纳米,而长度可达几毫米。和碳纳米管以及硅和复合半导体线状结构相比,这是迄今唯一被发现具有结构可控且无缺陷的宽带半导体准一维带状结构,而且具有比碳纳米管更独特和优越的结构和物理性能。这种结构是可以用来研究一维功能和智能材料中光、电、热输运过程的理想体系。王中林教授等发现的这些半导体氧化物带状结构可以使科学家用一单根氧化物纳米带做成纳米尺寸的气相、液相传感和敏感器或纳米功能及智能光电元件,为纳米光电学打下坚实的基础。   王中林近年来在纳米材料与结构方面做出了一系列重要的标志性研究成果。功能氧化物纳米带结构是继他在1998年发现多壁碳纳米管在室温下量子导电效应、1999年发明世界上迄今最小的纳米秤、2000 年提出纳米力学新测试方法之后的又一项重大科研发现。他已发表了240篇学术论文,出版专著3本,编辑5本专辑,论文被SCI引用次数达2240次,在国内外颇有影响。他先后被聘为中国科学院国际量子结构中心海外成员,中国科学院物理所、北京大学纳米中心、北京科技大学和西安电子科技大学等单位的兼职或客座教授。他于1999年获得美国电子显微学会巴顿奖章,2000年佐治亚理工学院杰出研究奖和2001年美国励基金会纳米科技突出贡献奖金。



版权所有:国家自然科学基金委员会 京ICP备05002826号 文保网安备1101080035号