薛其坤 博士 中国科学院物理研究所研究员 1996年国家杰出青年科学基金获得者

薛其坤研究员主要从事IV、III-V族半导体(GaAs和GaN等)表面和外延生长动力学及实时控制研究，兼顾材料生长和表面物理两个领域。在最常见的化合物半导体GaAs(001)和GaN(001)表面的原子结构、表面能量最小化原理、外延生长的原子过程、超晶格应力释放机制以及薄膜生长的机理等研究领域开展了研究。     基于III-V族化合物的各种光电子材料和器件一般生长在GaAs（001）表面。该表面上As终止的2×4和Ga终止的4×2是最重要、也是研究最广泛的两个结构。通过系统的扫描隧道显微镜、高能电子衍射和理论模拟计算，确定了其原子结构，得到了同行的承认。在此基础上对该表面的10余个不同结构提出统一的结构模型，成功地解释了GaAs分子束外延的逐层生长机制。在InAs/GaAs异质结外延生长的研究中，提出高指数面的形成和稳定是量子点自组织效应的起源之一，确定了几个典型的稳定量子点小面的原子结构。通过操纵生长过程，控制性地实现了InAs/GaAs的反常逐层生长，发现了两个新的结构和一个新的应力释放机制，对高质量的异质结生长具有重要的指导意义。研究了GaN两个不同极性的生长表面的再构规律，确定了最常见的2x2和4x4表面的原子结构，对在工业上具有重要用途的表面干法腐蚀的原子过程也进行了有意义的探索。     薛其坤博士在《SCI》收录的杂志上共发表论文55篇，其中包括《Phys. Rev. Lett.》4篇，《Phys. Rev. B》6篇，《Appl. Phys. Lett.》4篇,综述文章5篇。这些文章的引用率总数达500多次。分别应邀在1996年美国物理学会“March Meeting”、1997年国际材料与生命科学会议、1999年国际扫描隧道显微学大会、国际先进材料会议等许多重要会议上作报告。薛其坤在1998年入选中国科学院"百人计划"，1999年被评为中国科学院"十大杰出青年"，2000年获中国科学院"盈科青年学者"奖，同年入选"国家百千万人才工程"第一层次。

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