据俄歇深度分析结果，解析有关物种在界面附近分布函数，获得界面TiSi2产物生成动力学方程，首次对该体系"既非成核反应，又非扩散控制"动力学特性做了定量表述。
in 真空科学与技术
利用Sn MNN Auger线形研究掺杂质对SnO2薄膜(20~30 nm)电子结构的影响，获得了掺杂Sn3d状态密度分布影响的定量结果。
in Thin Solid Films Sensors and Actuators B
异质纳米薄膜界面扩散与反应研究
Study on Diffusion and Reaction at Interface of Multi-Nanometer Thin Films
项目批准号：
59472024. 29875013清华大学 曹立礼
微电子工业中芯片和后封装、高密度存贮及读写磁头，现代平板显示器及各种光电和新能源器件，它们往往都以金属、半导体、陶瓷和高聚物制成复层纳米薄膜并最终形成器件。这些现代技术发展，面临一个共同的异质薄膜界面结构问题。界面物相、化学组成和电子结构将直接影响上述器件的性能、可靠性和寿命。这两项申请目标在于探索有关体系界面上的物化现象、表征其结构。所列研究内容和成果具有明确的工业应用背景和极高的理论价值。
● 主要研究成果
| Ti(40 nm)/Si(100)界面扩散反应动力学 | Ti(40 nm)/Si(100)界面扩散反应动力学 |
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据俄歇深度分析结果，解析有关物种在界面附近分布函数，获得界面TiSi2产物生成动力学方程，首次对该体系"既非成核反应，又非扩散控制"动力学特性做了定量表述。 in 真空科学与技术 |
利用Sn MNN Auger线形研究掺杂质对SnO2薄膜(20~30 nm)电子结构的影响，获得了掺杂Sn3d状态密度分布影响的定量结果。 in Thin Solid Films Sensors and Actuators B |
| Ag-Au(5~7 nm)/SiO2体系薄膜电迁移扩散模 | 模型有机电致发光器件中界面结构表征研究 |
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利用AFM+ADXPS技术首次发现Ag、Au在直流电场作用下不仅产生物质定向迁移，同时利用AFM+ADXPS技术首次发现Ag、Au在直流电场作用下不仅产生物质定向迁移，同时发生界面化学反应，元素Si偏析到Au、Ag纳米生界面化学反应，元素Si偏析到Au、Ag纳米晶边界 |
利用XPS 和DSIMS研究ITO表面处理以及典型有机电致发光器件界面结构，观测到金属/有机、有机/ITO纳米复层薄膜界面扩散及化学反应，证明DSIMS表征Alq3/NPB有机界面结构的能力. in Surface & Interface Analysis Applied Physics A |
工程与材料科学部、国际合作局
主办
数理科学部、化学科学部 协办