“高质量GaN薄膜分子束外延及HVPEGaN衬底研究

　　由南京大学与香港理工大学共同承担的NSFC/RGC联合“科研基金资助项目“高质量GaN薄膜分子束外延及HVPEGaN衬底研究”，圆满完成预定计划并取得较为丰富的研究成果。对高质量低位错密度GaN衬底材料的HVPE生长和剥离进行了深入研究，取得了新的突破，并在此基础上开拓了新的研究方向。项目执行期间，共发表SCI、EI学术论文20篇，获得授权国家发明专利7项，新申请发明专利11项。