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微电子是高技术的象征，对国家科技、工业和国防起着举足轻重的作用，是我国政府特别关注和大力发展的领域，而硅单晶材料是微电子的基础和关键材料。
上世纪80年代末期浙江大学阙端麟院士在国际上独创减压充氮生长直拉硅单晶，首次将掺氮直拉硅单晶产业化，获得了国家发明奖二等奖。但是，氮原子进入硅单晶，引起了新的科学现象和问题，关于它们的研究，当时在国际上几乎是空白。
自1991年起，在国家自然科学基金重点和面上项目等的支持下，浙江大学硅材料国家重点实验室杨德仁教授在国际上首先系统开展了掺氮直拉硅单晶相关缺陷与性能的基础理论研究，如：首次证明氮影响直拉硅单晶的电阻率稳定，首次提出氮对热和新施主的抑制作用机理等等。
系列创新成果，在科学上揭示了掺氮直拉硅单晶缺陷的结构、性质和作用，形成了较完整的对掺氮直拉硅单晶相关缺陷物理内涵的认识，解决了掺氮直拉硅单晶在超大规模集成电路中应用的基本科学问题。这些理论研究成果在国际上产生了独特影响，英国皇家学会院士R.C.Newman等著名教授在综述性论文中，都引用该项成果。该项研究成果也在国际产业界得到重视，从2000年以来，掺氮硅单晶已经在国际产业界得到广泛应用，成为国际硅单晶一种重要品种。目前，国际上主要的硅单晶公司基本都在应用掺氮直拉硅单晶，其中包括国际前三位最大的硅材料公司（SEH、SUMCO、WACKER）。掺氮直拉硅单晶已经成为国际上硅单晶的重要新品种，间接促进了国际微电子产业的发展。
该项成果获2004年浙江省科学技术奖一等奖，2005年国家自然科学奖二等奖。 |
